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以色列研究:芯片中的硅或可被新材料取代

作者:光明網(wǎng) 來源: 頭條號 112610/10

新華社耶路撒冷7月9日電(記者王卓倫)以色列理工學院近日發(fā)布公報說,該院人員領(lǐng)銜的一項新研究開發(fā)出了一種新材料,將來有可能取代芯片中的硅。一個芯片可能包含數(shù)十億個晶體管,芯片性能的提升基于晶體管的不斷小型化。近年來硅晶體管的小型化速度已放緩

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新華社耶路撒冷7月9日電(記者王卓倫)以色列理工學院近日發(fā)布公報說,該院人員領(lǐng)銜的一項新研究開發(fā)出了一種新材料,將來有可能取代芯片中的硅。

一個芯片可能包含數(shù)十億個晶體管,芯片性能的提升基于晶體管的不斷小型化。近年來硅晶體管的小型化速度已放緩,因為到達一定微小尺度后,晶體管功能會受到量子力學某些效應(yīng)的干擾,從而影響正常運行。

這項研究發(fā)表在美國《先進功能材料》雜志上。在該研究中,以色列理工學院的研究人員在獨特的實驗室系統(tǒng)中合成一種氧化物材料,這一新材料原子間的距離能以皮米即千分之一納米的精度準確控制,而硅材料兩個原子間的距離約為四分之一納米。

通過這些發(fā)生在千分之一納米范圍內(nèi)的微小變化,研究人員正在開發(fā)新的方法來控制材料在導電和絕緣狀態(tài)之間變化,使其具有半導體的特性。研究人員還用瑞士日內(nèi)瓦的粒子加速器觀察這些微小變化如何影響新材料中電子的排列,以進一步推進未來晶體管的研發(fā)。

來源: 新華網(wǎng)

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